中国芯片当前目标：不去强求3nm，而是把7nm做到3nm水平

Leo专属报道：中国目前可以使用自己的技术生产 7nm 芯片，但该国总是想进一步突破其极限。据报道，总部位于中国深圳的电信设备制造商巨头华为技术公司正计划使用深紫外 (DUV) 光刻技术生产 3 纳米芯片，尽管生产率低且成本高。

据美国科技网站Tom's Hardware发表文章称，华为与中芯国际（SMIC）联合计划采用自对准四图案图案化（SAQP）光刻方法生产3纳米芯片。该方法已获得专利。

Tom's Hardware 的文章指出，制造 5 nm 或 3 nm 芯片的成本对于商业设备来说是不可行的。然而，这些芯片可用于超级计算机或军事设备。不仅是华为，北方华创、SiCarrier等许多中国企业也参与了SAQP研究。-芯片

中国的“天堂时间”

根据该文章，如果在 7 nm 芯片上两个金属链接之间的最小距离（金属间距）为 36 至 38 nm，那么在 5 nm 芯片上该参数将减小到 30 至 32 nm，而对于 3 nm 芯片将降至约21至24纳米。
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2019年，英特尔尝试生产10纳米芯片，其金属间距为36纳米。但由于回报率低，该项目失败了。在评论华为和中芯国际能够量产3纳米芯片的时间时，有科技记者给出了几年的估计。然而，当这两家公司取得成功时，全球市场可能已经采用了1.4纳米芯片。-芯片

今年 2 月，英国《金融时报》报道称，中芯国际已在上海安装新的半导体生产线，用于生产下一代智能手机处理器。他们表示，该公司将利用美国和荷兰制造的现有库存设备生产 5 纳米 Cortex 芯片。

3月份，有媒体报道称中芯国际已成立研究小组，推动3纳米芯片的生产。但报道尚未得到证实。目前，中国最先进的微处理器是上海中芯国际生产的7纳米芯片。4月，华为推出了Pura 70智能手机，搭载该公司的麒麟9010应用处理器。-芯片

TechInsights发现，麒麟9010采用了名为N+2的工艺制造，与去年8月华为在Mate60 Pro手机上推出的麒麟9000的制造工艺相同。

一位化名RexAA的科技记者在文章中表示，Kiri9010的性能比麒麟9000好一点。麒麟9010的性能介于iPhone 12的A14芯片和iPhone 13的A15芯片之间。他表示。事实上，在美国制裁4年之后，该公司仍然可以生产自己的7纳米芯片，这是一个伟大的成就。
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差距持续拉大

不过，美国半导体行业协会（SIA）表示，美国与中国在先进芯片制造方面的差距将继续拉大。

SIA在一份主要关注美国CHIP法案资助影响以及中国实现处理器独立的努力的研究中表示，预计美国将生产全球28%的最先进处理器（10纳米以下） ）而中国大陆则只生产2%。与此同时，台湾在先进芯片市场的份额将从2022年的69%降至2032年的47%。-芯片

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